第1章　デバイスの概念
　　1.1　デバイスとは何か
　　1.2　真空電子デバイス
　　1.3　3端子デバイスによる信号増幅
　　1.4　なぜ半導体デバイスか

第2章　結晶中の電子の振る舞い
　　2.1　波の性質を持つ電子
　　2.2　バンドを作る電子
　　2.3　金属の中の電子の振る舞い
　　2.4　ボンドを作る電子
　　2章の問題

第3章　半導体中の電子とホール
　　3.1　フェルミ-ディラックの分布関数
　　3.2　N型とP型の半導体
　　3.3　半導体中のキャリア濃度
　　3章の問題

第4章　半導体中の電気伝導
　　4.1　電流連続の式
　　4.2　半導体中を流れる電流
　　4.3　アインシュタインの関係式
　　4.4　ショックレー-リード-ホールの理論
　　4章の問題

第5章　PN接合
　　5.1　P型半導体とN型半導体を接合する
　　5.2　階段型PN接合
　　5.3　線形傾斜型接合
　　5.4　空乏層中におけるキャリア濃度
　　5.5　理想ダイオードの電流電圧特性
　　5.6　実際のダイオードの電流電圧特性
　　5.7　薄いベース層を持つPN接合ダイオード
　　5.8　ダイオードのパルス応答
　　5章の問題

第6章　金属と半導体の接合
　　6.1　理想的な界面を持つ金属と半導体の接合
　　6.2　ショットキー障壁の高さ
　　6.3　ショットキーダイオードの電流電圧特性
　　6.4　金属と半導体のオーミックコンタクト
　　6章の問題

第7章　バイポーラトランジスタ
　　7.1　増幅機能を持つデバイス
　　7.2　電流制御デバイスとしてのバイポーラトランジスタ
　　7.3　電流電圧特性
　　7.4　実際のバイポーラトランジスタ構造と特性の変化
　　7.5　高周波に対する応答
　　7章の問題

第8章　MOSトランジスタ
　　8.1　MOSトランジスタの動作原理
　　8.2　MOS構造の解析
　　8.3　MOSトランジスタの電流電圧特性
　　8.4　簡略化した電流電圧特性
　　8.5　基板バイアス効果
　　8.6　サブスレッショールド特性
　　8.7　MOSキャパシタのC-V特性
　　8.8　MOSトランジスタ各部の容量
　　8.9　MOSトランジスタの微細化
　　8章の問題

第9章　パワー半導体デバイスの考え方
　　9.1　パワーデバイスに求められる機能
　　9.2　PNPN構造
　　9.3　IGBT
　　9章の問題

付録
　　A.1　空間電荷制限電流
　　A.2　ベース不純物に濃度分布がある場合のガンメル数
　　A.3　拡散方程式を解いてバイポーラトランジスタの特性を求める
　　A.4　MOS製造プロセスの概要
　　A.5　参考データ

問題解答
索引